logo

ВЕРХНЯЯ ЧАСТЬ профессиональный раздатчик электронных блоков в Китае.

мы предлагаем универсальное обслуживание решения, от модулей связи, антенн, ПКБ, ПКБА, и всех компонентов для ПКБ Бом.

Главная страница
Продукция
О Компании
Наша фабрика
контроль качества
контактные данные
Отправить запрос
Главная страница Продукция

Силовой модуль БТИЗ

КИТАЙ TOP Electronic Industry Co., Ltd. Сертификаты
КИТАЙ TOP Electronic Industry Co., Ltd. Сертификаты
Превосходный продукт, хорошее качество, конкурентоспособная цена, профессиональная услуга, с 10 летами сотрудничества, теперь мы будем хорошим одином другого друзей.

—— Рональд-от Boilvia

Оно очень радостный найти ВЕРХНЯЯ ЧАСТЬ как наш соучастник в Китае, здесь мы можем получить самый лучший продукт и serice, они всегда кладут клиента на первое место.

—— Карлос-от Аргентины

Я очень удовлетворен с полностью вашим обслуживанием. Это действительно хорошая команда! с вашим универсальный предложением разрешения, помогите нам сохранить много время и денег

—— Giancarlo-от Италии

Оставьте нам сообщение
КИТАЙ FF400R06KE3 600V 400A IGBT Модуль Низкий VCE (sat) Высокий короткий сдвиг Прочность Низкие потери переключения Высокая изоляция для промышленных двигателей и высокопроизводительных ВПС дистрибьютор
FF400R06KE3 600V 400A IGBT Модуль Низкий VCE (sat) Высокий короткий сдвиг Прочность Низкие потери переключения Высокая изоляция для промышленных двигателей и высокопроизводительных ВПС

Силовой модуль БТИЗ

(58)
КИТАЙ NH1GG69V250P 1250V 250A SiC MOSFET модуль низкий Rds ((on) 3.3mΩ Быстрое переключение высокая частота низкая потеря высокая плотность мощности промышленный класс Для фотоэлектрических инверторов и двигателей завод

NH1GG69V250P 1250V 250A SiC MOSFET модуль низкий Rds ((on) 3.3mΩ Быстрое переключение высокая частота низкая потеря высокая плотность мощности промышленный класс Для фотоэлектрических инверторов и двигателей

NH1GG69V250P 1250V 250A SiC MOSFET модуль низкий Rds ((on) 3.3mΩ Быстрое переключение высокая частота низкая потеря высокая плотность мощности промышленный класс Для фотоэлектрических инверторов и двигателей Ос... Подробнее
2025-12-18 18:25:09
КИТАЙ NH1GG69V125P 1250В 69А SiC MOSFET модуль с низким Rds(on) 11 мОм, быстрым переключением, высокой частотой, высокой температурой 175°C, низкими потерями, промышленного класса для солнечных и промышленных приводов завод

NH1GG69V125P 1250В 69А SiC MOSFET модуль с низким Rds(on) 11 мОм, быстрым переключением, высокой частотой, высокой температурой 175°C, низкими потерями, промышленного класса для солнечных и промышленных приводов

NH1GG69V125P 1250В 69A SiC MOSFET модуль, низкое Rds(on) 11mΩ, быстрое переключение, высокая частота, высокая температура 175°C, низкие потери, промышленный класс, для солнечных и промышленных приводов​ Особенн... Подробнее
2025-12-18 18:25:07
КИТАЙ NCE6050A 60В 50А SiC MOSFET с низким Rds(on) 18 мОм, быстрым переключением, высокой частотой, высокой эффективностью, надежной работой, корпус TO-247, для серверов, SMPS и приводов двигателей завод

NCE6050A 60В 50А SiC MOSFET с низким Rds(on) 18 мОм, быстрым переключением, высокой частотой, высокой эффективностью, надежной работой, корпус TO-247, для серверов, SMPS и приводов двигателей

NCE6050A 60V 50A SiC MOSFET Низкий Rds ((on) 18mΩ Быстрое переключение высокой частоты Высокая эффективность Устойчивая производительность TO-247 Пакет для серверов SMPS и двигателей Особенности VDS = 60V,ID = ... Подробнее
2025-12-18 18:25:04
КИТАЙ MMG200Q120B6TC 1200V 200A SiC Half-bridge Module Low Rds ((on) Fast Switching High Frequency High Temp Operation Low Loss Industrial Grade Для фотоэлектрической энергии и беспроводной связи завод

MMG200Q120B6TC 1200V 200A SiC Half-bridge Module Low Rds ((on) Fast Switching High Frequency High Temp Operation Low Loss Industrial Grade Для фотоэлектрической энергии и беспроводной связи

MMG200Q120B6TC 1200V 200A SiC Half-bridge Module Low Rds ((on) Fast Switching High Frequency High Temp Operation Low Loss Industrial Grade Для фотоэлектрической энергии и беспроводной связи Особенности □ IGBT ... Подробнее
2025-12-18 18:25:02
КИТАЙ MMF200ZB040DK1 Модуль питания 200A SiC MOSFET 400V Низкий Rds ((on) 1,6mΩ Высокая эффективность Высокая скорость переключения Автомобильный класс жидкость охлажденная для инверторов тяги xEV завод

MMF200ZB040DK1 Модуль питания 200A SiC MOSFET 400V Низкий Rds ((on) 1,6mΩ Высокая эффективность Высокая скорость переключения Автомобильный класс жидкость охлажденная для инверторов тяги xEV

MMF200ZB040DK1 Модуль питания 200A SiC MOSFET 400V Низкий Rds ((on) 1,6mΩ Высокая эффективность Высокая скорость переключения Автомобильный класс жидкость охлажденная для инверторов тяги xEV Особенности Ультраб... Подробнее
2025-12-18 18:24:59
КИТАЙ IXFN56N90P 900V 56A SiC MOSFET Низкий Rds ((on) 65mΩ Быстрый переключатель высокой частоты Robust Body Diode High Temp Operation TO-264 Пакет завод

IXFN56N90P 900V 56A SiC MOSFET Низкий Rds ((on) 65mΩ Быстрый переключатель высокой частоты Robust Body Diode High Temp Operation TO-264 Пакет

IXFN56N90P 900V 56A SiC MOSFET, низкое Rds(on) 65mΩ, быстрое переключение, высокая частота, надежный встроенный диод, работа при высоких температурах, корпус TO-264 Особенности Международный стандартный корпус ... Подробнее
2025-12-18 18:24:57
КИТАЙ FZ2400R17HP4B2 1700V 2400A HiPerFET 4 IGBT Модуль Высокая плотность мощности Низкий Vce ((sat) Быстрое переключение высокой частоты Robust SOA Для промышленных приводов и UPS завод

FZ2400R17HP4B2 1700V 2400A HiPerFET 4 IGBT Модуль Высокая плотность мощности Низкий Vce ((sat) Быстрое переключение высокой частоты Robust SOA Для промышленных приводов и UPS

FZ2400R17HP4B2 1700V 2400A HiPerFET 4 IGBT Модуль Высокая плотность мощности Низкий Vce ((sat) Быстрое переключение высокой частоты Robust SOA Для промышленных приводов и UPS Особенности Увеличенный диод для ре... Подробнее
2025-12-18 18:24:53
КИТАЙ FZ1600R17HP4B2 1700V HiPerFET 4 1600A IGBT Высокая плотность мощности Низкая Vce ((sat) Быстрое переключение высокой частоты Robust SOA Industrial Grade для UPS и солнечной энергии завод

FZ1600R17HP4B2 1700V HiPerFET 4 1600A IGBT Высокая плотность мощности Низкая Vce ((sat) Быстрое переключение высокой частоты Robust SOA Industrial Grade для UPS и солнечной энергии

FZ1600R17HP4B2 1700V HiPerFET 4 1600A IGBT Высокая плотность мощности Низкое Vce(sat) Быстрое переключение Высокая частота Надежная SOA Промышленный класс для ИБП и солнечной энергетики Особенности Изоляция 4 к... Подробнее
2025-12-18 18:24:48
КИТАЙ FZ600R12KE4HOSA1 1200V/600A IGBT модуль низкий VCE ((sat) высокоскоростной переключатель низкие потери пресс-подборка штифты изолированной основной пластинки NTC датчик промышленного класса для тяжелых приводов и ветровых преобразователей завод

FZ600R12KE4HOSA1 1200V/600A IGBT модуль низкий VCE ((sat) высокоскоростной переключатель низкие потери пресс-подборка штифты изолированной основной пластинки NTC датчик промышленного класса для тяжелых приводов и ветровых преобразователей

FZ600R12KE4HOSA1 1200В/600A IGBT модуль с низким VCE(sat) Высокоскоростное переключение Низкие потери Прессовые контакты Изолированная опорная пластина NTC датчик Промышленный класс для мощных приводов и ветров... Подробнее
2025-12-18 18:24:44
КИТАЙ FF100R12RT4 1200V/100A 3-в-1 IGBT модуль интегрированный тормозный вертолет низкий VCE ((sat) высокоскоростной переключатель низкой потери встроенный NTC изолированный основной пластинки для промышленных приводов и систем UPS завод

FF100R12RT4 1200V/100A 3-в-1 IGBT модуль интегрированный тормозный вертолет низкий VCE ((sat) высокоскоростной переключатель низкой потери встроенный NTC изолированный основной пластинки для промышленных приводов и систем UPS

FF100R12RT4 1200В/100A 3-в-1 IGBT модуль с интегрированным тормозным чоппером, низкое VCE(sat), высокоскоростное переключение, низкие потери, встроенный NTC, изолированная базовая пластина для промышленных прив... Подробнее
2025-12-18 18:24:41
Page 4 of 6|< 1 2 3 4 5 6 >|