logo
vr

ВЕРХНЯЯ ЧАСТЬ профессиональный раздатчик электронных блоков в Китае.

мы предлагаем универсальное обслуживание решения, от модулей связи, антенн, ПКБ, ПКБА, и всех компонентов для ПКБ Бом.

Продажа и поддержка:

Главная страница
Продукция
О Компании
Наша фабрика
контроль качества
контактные данные
Отправить запрос
Главная страница Продукция

Силовой модуль БТИЗ

Все продукты
Модуль 4G 5G (37)
Беспроводной модуль связи (38)
Модуль GPS приемника (11)
Интегрированные силовые модули (4)
Силовой модуль БТИЗ (91)
компоненты интегральной схемаы (565)
Пассивные электронные блоки (94)
высокая антенна gps увеличения (14)
беспроводная антенна связи (30)
комбинированная антенна (14)
Антенна низкой частоты (5)
Антенна цифров TV (7)
РФ коаксиальный кабель (9)
коаксиловый разъем rf (10)
Услуги агрегат PCB (5)
Терминал разъемы блока (19)
КИТАЙ TOP Electronic Industry Co., Ltd. Сертификаты
КИТАЙ TOP Electronic Industry Co., Ltd. Сертификаты
Превосходный продукт, хорошее качество, конкурентоспособная цена, профессиональная услуга, с 10 летами сотрудничества, теперь мы будем хорошим одином другого друзей.

—— Рональд-от Boilvia

Оно очень радостный найти ВЕРХНЯЯ ЧАСТЬ как наш соучастник в Китае, здесь мы можем получить самый лучший продукт и serice, они всегда кладут клиента на первое место.

—— Карлос-от Аргентины

Я очень удовлетворен с полностью вашим обслуживанием. Это действительно хорошая команда! с вашим универсальный предложением разрешения, помогите нам сохранить много время и денег

—— Giancarlo-от Италии

Оставьте нам сообщение
КИТАЙ FF400R06KE3HOSA1 600V 400A IGBT полумостовой модуль траншея остановки технологии низкой VCEsat быстрое переключение прочный для инверторов и приводов дистрибьютор
FF400R06KE3HOSA1 600V 400A IGBT полумостовой модуль траншея остановки технологии низкой VCEsat быстрое переключение прочный для инверторов и приводов

Силовой модуль БТИЗ

(91)
КИТАЙ FF400R06KE3HOSA1 600V 400A IGBT полумостовой модуль траншея остановки технологии низкой VCEsat быстрое переключение прочный для инверторов и приводов фабрика

FF400R06KE3HOSA1 600V 400A IGBT полумостовой модуль траншея остановки технологии низкой VCEsat быстрое переключение прочный для инверторов и приводов
контакт

FF400R06KE3HOSA1 600V 400A IGBT полумостовой модуль траншея остановки технологии низкой VCEsat быстрое переключение прочный для инверторов и приводов Особенности Топология полумостаДва IGBT с антипараллельными ... Подробнее
2026-05-19 17:45:21
КИТАЙ FF400R06KE3HOSA1 Модуль IGBT 600V 400A технология остановки траншеи на полумосту низкий VCEsat высокоскоростной промышленный класс фабрика

FF400R06KE3HOSA1 Модуль IGBT 600V 400A технология остановки траншеи на полумосту низкий VCEsat высокоскоростной промышленный класс
контакт

FF400R06KE3HOSA1 Модуль IGBT 600V 400A технология остановки траншеи на полумосту низкий VCEsat высокоскоростной промышленный класс Особенности Напряжение коллектора-излучателя 600 Вт (Vces)Подходит для 400-воль... Подробнее
2026-05-19 17:45:07
КИТАЙ TT120N16SOFHPSA1 модуль SCR 1600 В Vdrm 120 А Itav контакт давления с высоким импульсом и низкими потерями промышленного класса для управления мощностью фабрика

TT120N16SOFHPSA1 модуль SCR 1600 В Vdrm 120 А Itav контакт давления с высоким импульсом и низкими потерями промышленного класса для управления мощностью
контакт

TT120N16SOFHPSA1 SCR модуль 1600V Vdrm 120A Itav контакт давления высокого тока низкой потери промышленного класса для управления мощностью Особенности 1600 В повторяющееся пиковое напряжение вне состояния ... Подробнее
2026-05-19 17:45:04
КИТАЙ SC200EWFDA-G55-UNNNA SMD алюминиевый электролитический конденсатор 200В, номинальная температура 105°C, низкое сопротивление, долгий срок службы, высокий коэффициент пульсаций, диапазон температур от -40 до +105°C, для силовых устройств и светодиодов фабрика

SC200EWFDA-G55-UNNNA SMD алюминиевый электролитический конденсатор 200В, номинальная температура 105°C, низкое сопротивление, долгий срок службы, высокий коэффициент пульсаций, диапазон температур от -40 до +105°C, для силовых устройств и светодиодов
контакт

SC200EWFDA-G55-UNNNA SMD аллюминиевый электролитик 200В номинальной 105°C низкая импедансная длительная жизнь высокая волна -40 до +105°C для питания и светодиодов Особенности SMD Алюминиевая электролитическая ... Подробнее
2026-05-09 16:23:49
КИТАЙ TT600N16KOF 1600V 600A Модуль двойного тиристора Низкий VF 1.32V Высокий прилив 21kA Технология контакта давления Изолированная основательная пластина Тренч-гейт UL Сертифицирован для мягких стартеров и ректификаторов фабрика

TT600N16KOF 1600V 600A Модуль двойного тиристора Низкий VF 1.32V Высокий прилив 21kA Технология контакта давления Изолированная основательная пластина Тренч-гейт UL Сертифицирован для мягких стартеров и ректификаторов
контакт

TT600N16KOF 1600V 600A Модуль двойного тиристора Низкий VF 1.32V Высокий прилив 21kA Технология контакта давления Изолированная основательная пластина Тренч-гейт UL Сертифицирован для мягких стартеров и ректифи... Подробнее
2026-04-10 18:08:20
КИТАЙ SKM400GB12T4 1200V 400A Dual IGBT Module TRENCHSTOPTM IGBT4 Low VCE ((sat) 1.75V 10μs SC Capability CAL Diode Low Switching Losses SEMITRANS3 UL Сертифицирован для высокомощных приводов фабрика

SKM400GB12T4 1200V 400A Dual IGBT Module TRENCHSTOPTM IGBT4 Low VCE ((sat) 1.75V 10μs SC Capability CAL Diode Low Switching Losses SEMITRANS3 UL Сертифицирован для высокомощных приводов
контакт

SKM400GB12T4 1200V 400A Dual IGBT Module TRENCHSTOPTM IGBT4 Low VCE ((sat) 1.75V 10μs SC Capability CAL Diode Low Switching Losses SEMITRANS3 UL Сертифицирован для высокомощных приводов Особенности Напряжение ... Подробнее
2026-04-10 18:08:16
КИТАЙ SKM75GB128DN 1200В, 75А Двойной IGBT-модуль Низкое VCE(sat) 1.9В Быстрое переключение Интегрированный диод 10мкс SC-возможность Корпус SEMITOP2 Контактные выводы Press-Fit Сертификация UL для приводов и инверторов фабрика

SKM75GB128DN 1200В, 75А Двойной IGBT-модуль Низкое VCE(sat) 1.9В Быстрое переключение Интегрированный диод 10мкс SC-возможность Корпус SEMITOP2 Контактные выводы Press-Fit Сертификация UL для приводов и инверторов
контакт

SKM75GB128DN 1200V, 75A Двойной IGBT модуль Низкое VCE(sat) 1.9V Быстрое переключение Интегрированный диод 10мкс SC-возможность Корпус SEMITOP2 Пресс-фит контакты Сертификация UL для приводов и инверторов Особе... Подробнее
2026-04-10 18:08:13
КИТАЙ SKKH570/18E 1800V 570A Тиристор-диодный модуль двойной серии Усиливающие ворота Низкий VF 1.44V, 19kA Приток AlN Керамические контактные устройства для базового давления UL Сертифицирован для мягких стартеров фабрика

SKKH570/18E 1800V 570A Тиристор-диодный модуль двойной серии Усиливающие ворота Низкий VF 1.44V, 19kA Приток AlN Керамические контактные устройства для базового давления UL Сертифицирован для мягких стартеров
контакт

SKKH570/18E 1800V 570A Тиристорно-диодный модуль Двойной последовательный с усиливающим затвором Низкое прямое падение напряжения 1.44В, импульсный ток 19кА Керамическая основа из нитрида алюминия Контакты под ... Подробнее
2026-03-23 17:35:00
КИТАЙ SKKE600/16 1600В 600А Одиночный диодный модуль Ультранизкое прямое падение напряжения 1.5В Высокий импульсный ток 22кА SEMIPACK4 Изолированное основание Отличная теплопередача Высокая надежность Сертификация UL для выпрямителей и сварочного оборудования фабрика

SKKE600/16 1600В 600А Одиночный диодный модуль Ультранизкое прямое падение напряжения 1.5В Высокий импульсный ток 22кА SEMIPACK4 Изолированное основание Отличная теплопередача Высокая надежность Сертификация UL для выпрямителей и сварочного оборудования
контакт

SKKE600/16 1600V 600A Модуль однодиодного питания Сверхнизкий VF 1.5V Высокий приливный ток 22kA SEMIPACK4 Изолированная база Отличная теплопередача Высокая надежность UL сертифицирован для выпрямителей и сварк... Подробнее
2026-03-23 17:34:56
КИТАЙ SKDH116/16-L105 1600V 116A IGBT Модуль 3-фазный мост Повышающий/понижающий преобразователь Интегрированный NTC Высокий пусковой ток 950А Корпус SEMIPONT6 Пресс-ин пин Сертификация UL для ИБП и приводов фабрика

SKDH116/16-L105 1600V 116A IGBT Модуль 3-фазный мост Повышающий/понижающий преобразователь Интегрированный NTC Высокий пусковой ток 950А Корпус SEMIPONT6 Пресс-ин пин Сертификация UL для ИБП и приводов
контакт

SKDH116/16-L105 1600V 116A IGBT Модуль 3-фазный мост Boost Chopper Интегрированный NTC Высокий импульсный ток 950А Корпус SEMIPONT6 Пресс-ин пин Сертифицирован UL для ИБП и приводов Особенности Напряжение блоки... Подробнее
2026-03-23 17:34:53
Page 1 of 10|< 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 >|
natasha007007
Модуль 4G 5G

Модуль для маршрутизаторов, Netbooks модуля 4G LTE GSM быстрого хода клетчатый

Модуль EM7430 LTE 4G LTE Cat 6 с большим диапазоном действия в основном для Азиатско-Тихоокеанского региона

Модуль MC7430 MDM9230 4G LTE

Набор микросхем 4G Qualcomm MDM9230 врезал беспроволочный USB 3,0 модулей MC7455

компоненты интегральной схемаы

280756-4 4-позиционный разъем для проводов и плат с шагом 2,5 мм, обжимной корпус, фрикционный замок, крепление на панель, сертификация UL 94V-0, поляризованный, номинальный ток 4,5 А для распределения питания и промышленного управления

280389-2 2 Позиции 2.5мм Шаг Разъем Провод-к-Плата Вертикальный Сквозное Отверстие Экранированный Поляризованный UL 94V-0 Оловянное Покрытие для Автомобильной и Промышленной Применений

SM4004PL-TP 400В 1А Диод общего назначения Низкое прямое падение напряжения 1.1В Низкий ток утечки 5мкА Высокий импульсный ток 30А SOD-123FL от -65°C до 175°C Соответствует RoHS для блоков питания и светодиодного освещения

высокая антенна gps увеличения

Увеличение внешней антенны GPS разъема SMA/SMB/BNC HI для системы корабля

Антенна GPS увеличения высокой эффективности высокая для сотового телефона TOP-GPS-AI08

Увеличение оптимального взаимодействия высокое антенна 50 омов с установкой винта

Отправить запрос
sgs

Новости

E-Mail | Карта сайта

Мобильный сайт
политика конфиденциальности | КИТАЙ хороший Качество Модуль 4G 5G поставщик. © 2016 - 2026 TOP Electronic Industry Co., Ltd.. All Rights Reserved.