ВЕРХНЯЯ ЧАСТЬ профессиональный раздатчик электронных блоков в Китае.

мы предлагаем универсальное обслуживание решения, от модулей связи, антенн, ПКБ, ПКБА, и всех компонентов для ПКБ Бом.

Продажа и поддержка:

Russian

Home
Products
About Us
Factory Tour
Quality Control
Contact Us
Отправить запрос

Главная страница Продукция

Силовой модуль БТИЗ

Все продукты

Модуль 4G 5G (37)

Беспроводной модуль связи (38)

Модуль GPS приемника (11)

Интегрированные силовые модули (4)

Силовой модуль БТИЗ (24)

компоненты интегральной схемаы (523)

Пассивные электронные блоки (80)

высокая антенна gps увеличения (14)

беспроводная антенна связи (30)

комбинированная антенна (14)

Антенна низкой частоты (5)

Антенна цифров TV (7)

РФ коаксиальный кабель (9)

коаксиловый разъем rf (10)

Услуги агрегат PCB (5)

Терминал разъемы блока (16)

КИТАЙ TOP Electronic Industry Co., Ltd. Сертификаты

Превосходный продукт, хорошее качество, конкурентоспособная цена, профессиональная услуга, с 10 летами сотрудничества, теперь мы будем хорошим одином другого друзей.

—— Рональд-от Boilvia

Оно очень радостный найти ВЕРХНЯЯ ЧАСТЬ как наш соучастник в Китае, здесь мы можем получить самый лучший продукт и serice, они всегда кладут клиента на первое место.

—— Карлос-от Аргентины

Я очень удовлетворен с полностью вашим обслуживанием. Это действительно хорошая команда! с вашим универсальный предложением разрешения, помогите нам сохранить много время и денег

—— Giancarlo-от Италии

Оставьте нам сообщение

SK70KQ16 1600V 70A Quick IGBT Module Low Vce(sat) 2.3V Fast Turn-off Soft Recovery Diode High Temp 150°C Low Loss High Power Density For Compact UPS and Inverters

SK70KQ16 1600V 70A Quick IGBT Module Low Vce(sat) 2.3V Fast Turn-off Soft Recovery Diode High Temp 150°C Low Loss High Power Density For Compact UPS and Inverters

SEMIX341D16S 1600V 450A IGBT Half-Bridge Module Low Vce(sat) Fast Switching Soft Recovery Diode High Temp 175°C Low Loss Industrial Grade For UPS and Solar Inverters

NH1GG69V250P 1250V 250A SiC MOSFET модуль низкий Rds ((on) 3.3mΩ Быстрое переключение высокая частота низкая потеря высокая плотность мощности промышленный класс Для фотоэлектрических инверторов и двигателей

NH1GG69V125P 1250В 69А SiC MOSFET модуль с низким Rds(on) 11 мОм, быстрым переключением, высокой частотой, высокой температурой 175°C, низкими потерями, промышленного класса для солнечных и промышленных приводов

NCE6050A 60В 50А SiC MOSFET с низким Rds(on) 18 мОм, быстрым переключением, высокой частотой, высокой эффективностью, надежной работой, корпус TO-247, для серверов, SMPS и приводов двигателей

Силовой модуль БТИЗ

(24)

7MBR35SB120-50 1200В/35А Семикомпонентный IGBT-модуль со встроенной тормозной схемой, встроенным NTC, низким VCE(sat), высокоскоростным переключением, компактной структурой, промышленного класса для приводов переменного тока и систем ИБП
контакт

7MBR35SB120-50 1200V/35A Модуль IGBT семи в одном Интегрированная тормозная схема Встроенный NTC Низкий VCE ((sat) Высокоскоростное переключение Компактная структура Промышленный класс для приводов переменного ... Подробнее

2025-11-24 11:33:01

1MBI2400VD-170E 1700V/2400A IGBT модуль двойной конфигурации низкий VCE ((sat) высокоскоростной переключатель встроенный NTC изолированная базовая пластина промышленного класса для UPS и солнечных инверторов
контакт

1MBI2400VD-170E 1700В/2400A IGBT модуль двойной конфигурации, низкое VCE(sat), высокоскоростное переключение, встроенный NTC, изолированная опорная пластина, промышленный класс для ИБП и солнечных инверторов Ос... Подробнее

2025-11-20 18:18:17

NH1GG69V250P IGBT Module 250A High Current 1200V Voltage Low Vce(sat) High Efficiency Robust Isolation 175°C Rating Compact Design for Industrial Drives and UPS Systems
контакт

NH1GG69V250P IGBT Module 250A High Current 1200V Voltage Low Vce(sat) High Efficiency Robust Isolation 175anddeg;C Rating Compact Design for Industrial Drives andamp; UPS Systems andnbsp; Features Dimensions ... Подробнее

2025-10-23 18:23:50

NH1GG69V125P IGBT 125A/1200V Силовой транзистор с низкими потерями, высокой эффективностью, 175°C, надежный, с полной изоляцией, компактный корпус для промышленных и EV инверторов
контакт

NH1GG69V125P IGBT 125A/1200V Мощность Низкие потери Высокая эффективность 175°C Прочность Полная изоляция Компактная конструкция для промышленных и электромобильных инверторов Особенности Размеры согласно DIN ... Подробнее

2025-10-23 18:23:47

Page 3 of 3|< << 1 2 3 >> >|

Силовой модуль БТИЗ

Силовой модуль БТИЗ

NH1GG69V250P IGBT Module 250A High Current 1200V Voltage Low Vce(sat) High Efficiency Robust Isolation 175°C Rating Compact Design for Industrial Drives and UPS Systems контакт

NH1GG69V250P IGBT Module 250A High Current 1200V Voltage Low Vce(sat) High Efficiency Robust Isolation 175°C Rating Compact Design for Industrial Drives and UPS Systems
контакт