logo

ВЕРХНЯЯ ЧАСТЬ профессиональный раздатчик электронных блоков в Китае.

мы предлагаем универсальное обслуживание решения, от модулей связи, антенн, ПКБ, ПКБА, и всех компонентов для ПКБ Бом.

Главная страница
Продукция
О Компании
Наша фабрика
контроль качества
контактные данные
Отправить запрос
Главная страница Продукция

компоненты интегральной схемаы

КИТАЙ TOP Electronic Industry Co., Ltd. Сертификаты
КИТАЙ TOP Electronic Industry Co., Ltd. Сертификаты
Превосходный продукт, хорошее качество, конкурентоспособная цена, профессиональная услуга, с 10 летами сотрудничества, теперь мы будем хорошим одином другого друзей.

—— Рональд-от Boilvia

Оно очень радостный найти ВЕРХНЯЯ ЧАСТЬ как наш соучастник в Китае, здесь мы можем получить самый лучший продукт и serice, они всегда кладут клиента на первое место.

—— Карлос-от Аргентины

Я очень удовлетворен с полностью вашим обслуживанием. Это действительно хорошая команда! с вашим универсальный предложением разрешения, помогите нам сохранить много время и денег

—— Giancarlo-от Италии

Оставьте нам сообщение

компоненты интегральной схемаы

(565)
КИТАЙ IRFHM9331TRPBF 30V Dual N+P MOSFET 5.3A/3.7A 0.045Ω/0.075Ω Rds ((on) DFN-10 175°C AEC-Q101 фабрика

IRFHM9331TRPBF 30V Dual N+P MOSFET 5.3A/3.7A 0.045Ω/0.075Ω Rds ((on) DFN-10 175°C AEC-Q101

IRFHM9331TRPBF andnbsp; Особенностиandnbsp; andnbsp; andnbsp; andnbsp; andnbsp; andnbsp; andnbsp; andnbsp; andnbsp; andnbsp; andnbsp; andnbsp; andnbsp; andnbsp; andnbsp; andnbsp; andnbsp; andnbsp; andnbsp;... Подробнее
2025-12-16 13:13:43
КИТАЙ IRF4905PBF -55В P-канальный MOSFET 74A Ток 0.02Ω Rds(on) TO-220AB 175°C Макс. лавинный рейтинг фабрика

IRF4905PBF -55В P-канальный MOSFET 74A Ток 0.02Ω Rds(on) TO-220AB 175°C Макс. лавинный рейтинг

IRF4905PBF andnbsp; ОСОБЕННОСТИ Передовая технология обработки Сверхнизкое сопротивление открытого канала Динамический рейтинг dv/dt Рабочая температура 175anddeg;C Быстрое переключение P-канал Полностью лавинн... Подробнее
2025-12-16 13:13:42
КИТАЙ BLM31PG601SN1L 600Ом Ферритовая бусина 1206 Размер 3А Номинальный ток Высокое сопротивление на 100 МГц AEC-Q200 -55°C до +125°C фабрика

BLM31PG601SN1L 600Ом Ферритовая бусина 1206 Размер 3А Номинальный ток Высокое сопротивление на 100 МГц AEC-Q200 -55°C до +125°C

BLM31PG601SN1L иnbsp; Описание 1.1 Специальные применения: andbull; Power equipment: Продукты, которые могут использоваться в электрооборудовании, например, оборудовании для использования возобновляемых источни... Подробнее
2025-12-16 13:13:42
КИТАЙ Интегральная схемаа моста УСБ разделяет УСБ к связи интерфейса УСБ 2,0 УАРТ УАРТ фабрика

Интегральная схемаа моста УСБ разделяет УСБ к связи интерфейса УСБ 2,0 УАРТ УАРТ

USB Bridge, USB в UART USB 2.0 UART Interface communication IC XR21V1414IM48-F с корпусом 48TQFP ^_^Microchip, MAX, AD, TI, NXP, ATMEL, ST, ON, NS, Intersil, Winbond, Vishay, ISSI, Infineon, NEC, FAIRCHILD, ... Подробнее
2025-12-16 13:13:41
КИТАЙ STM32F030K6T6 48MHz Cortex-M0 MCU 32KB Flash 4KB RAM 12-битный ADC 16 GPIOs LQFP-32 2.4-3.6V -40°C до +85°C Экономичный фабрика

STM32F030K6T6 48MHz Cortex-M0 MCU 32KB Flash 4KB RAM 12-битный ADC 16 GPIOs LQFP-32 2.4-3.6V -40°C до +85°C Экономичный

STM32F030K6T6 иnbsp; Особенности andbull; Core: Armandreg; 32-разрядный Cortexandreg;-M0 CPU, частота до 48 MHz И бык; воспоминания 16 - 256 Кбайт флэш-памяти иnbsp; иnbsp; от 4 до 32 Кбайт SRAM с HW parity ... Подробнее
2025-12-16 13:11:50
КИТАЙ  фабрика

MMBT2907ALT1G PNP Биполярный транзистор 60V VCEO, 600mA непрерывный ток 310mW Диссипация мощности SOT-23 Пакет Низкое насыщение Напряжение Высокое увеличение тока для усиления общего назначения и;Переход иnbsp; ... Подробнее
2025-12-16 12:20:41
КИТАЙ  фабрика

MMBT5551LT1G Транзистор высокого напряжения Особенности Префикс S и NSV для автомобильных и других приложений, требующих уникальных требований к изменению площадки и управления; AEC−Q101 Квалифицирован и способ... Подробнее
2025-12-16 12:20:04
КИТАЙ  фабрика

SL02-GS08 80 В Фототранзистор Оптопара Ток коллектора 50 мА Высокий CTR 4-контактный SOP 5000% VISO От -55°C до +110°C Безгалогеновое решение для изоляции сигнала SL02-GS08 — это высоконадежная фототранзисторна... Подробнее
2025-12-16 12:18:31
КИТАЙ BCX54-10-QX 45V PNP транзистор, ток коллектора 1A, низкое напряжение насыщения VCE(sat) 250 мВ, корпус TO-243AA, высокий коэффициент усиления по току (hFE 100-630), квалификация AEC-Q101 для автомобильных применений фабрика

BCX54-10-QX 45V PNP транзистор, ток коллектора 1A, низкое напряжение насыщения VCE(sat) 250 мВ, корпус TO-243AA, высокий коэффициент усиления по току (hFE 100-630), квалификация AEC-Q101 для автомобильных применений

BCX54-10-QX иnbsp; 1. Общее описание иnbsp;транзисторы средней мощности NPN в пластиковой упаковке SOT89 (SC-62) с плоским свинцовым поверхностным устройством (SMD). 2Особенности и преимущества иbull; IC и ICM ... Подробнее
2025-12-16 12:11:00
КИТАЙ TL084CPWR Четырехканальный малошумящий ОУ на JFET, полоса пропускания 4 МГц, скорость нарастания 13 В/мкс, питание ±18 В, входной ток смещения 3 пА, TSSOP-14, от -40°C до +105°C фабрика

TL084CPWR Четырехканальный малошумящий ОУ на JFET, полоса пропускания 4 МГц, скорость нарастания 13 В/мкс, питание ±18 В, входной ток смещения 3 пА, TSSOP-14, от -40°C до +105°C

TL084CPWR Quad Low-Noise JFET Op Amp 4MHz Bandwidth 13V/andmu;s Slew Rate andplusmn;18V Supply 3pA Input Bias TSSOP-14 -40anddeg;C до +105anddeg;C иnbsp; Особенности и бык; Высокая скорость убийства: 20В/мм/с ... Подробнее
2025-12-16 12:10:48
Page 44 of 57|< 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 >|