ВЕРХНЯЯ ЧАСТЬ профессиональный раздатчик электронных блоков в Китае.
мы предлагаем универсальное обслуживание решения, от модулей связи, антенн, ПКБ, ПКБА, и всех компонентов для ПКБ Бом.
|
Подробная информация о продукте:
Оплата и доставка Условия:
|
| Название продукта: | NAND флэш | Тип транзистора: | NPN |
|---|---|---|---|
| Настоящ-сборник (Макс): | 200mA | Сила максимальная: | 625Mw |
| Тип частоты: | 300 MHz | Номер I/O: | 48 |
| Высокий свет: | электронные интегральные схемаы,Вспышка РУКОЯТКИ |
||
Интегральная схемаа вспышки ИК НАНД микрона разделяет МТ29Ф1Г08АБАДАВП-ИТ: Д
ВСПЫШКА 1ГБИТ 48ТСОП МТ29Ф1Г08АБАДАВП ИК микрона, микросхема памяти
Введение:
Нововведения микрона продолжающийся в процессе и дизайне продолжаются управлять развитием НАНД, проявленным введением ведущего в отрасли 20нм НАНД. Они предлагают разнообразное портфолио продуктов с отдельными особенностями, функциональностью, и представлением для того чтобы приспособить ваши прибор-специфические потребности
Продукт затронутый: Вся вспышка 34нм СЛК НАНД:
1Гб 34нм (М68А, М68М),
2Гб 34нм (М69А),
4/8Гб/16Гб 34нм (М60А),
8Гб 34нм (М61А),
16/32/64/128Гб 34нм (М62Б).
части еУСБ
Спецификация:
Формат – память: Вспышка
Стандартный пакет: 1000пкс/рел
Размер запоминающего устройства: 1Г (128М кс 8)
Тип памяти: Вспышка НАНД
Напряжение тока – поставка: 2,7 В | 3,6 В
Рабочая температура: -40°К | 85°К
Пакет/случай: 48-ТФСОП (0,724", ширина 18.40мм)
Мы предлагаем серию памяти МТ29Ф,
Упорядочение информации:
|
1Гб - М68А |
||
|
МТ29Ф1Г01АААДДХ4: Д |
МТ29Ф1Г08АБАДАВП-Э: Д |
МТ29Ф1Г08АББДАХК-ИТ: Д |
|
МТ29Ф1Г01АААДДХ4-ИТ: Д |
МТ29Ф1Г08АБАДАВП-ИТ: Д |
МТ29Ф1Г08АББДАМ68А3ВК1 |
|
МТ29Ф1Г01АААДДХ4-ИТС: Д |
МТ29Ф1Г08АБАДАВП-ИТЭ: Д |
МТ29Ф1Г08АББДАМД-ИТ: Д |
|
МТ29Ф1Г08АБАДАХ4: Д |
МТ29Ф1Г08АБАДАВП-ИТС: Д |
МТ29Ф1Г16АББДАХ4: Д |
|
МТ29Ф1Г08АБАДАХ4-Э: Д |
МТ29Ф1Г08АББДАГЭ-ИТ: Д |
МТ29Ф1Г16АББДАХ4-ИТ: Д |
|
МТ29Ф1Г08АБАДАХ4-ИТ: Д |
МТ29Ф1Г08АББДАХ4: Д |
МТ29Ф1Г16АББДАХ4-ИТС: Д |
|
МТ29Ф1Г08АБАДАХ4-ИТЭ: Д |
МТ29Ф1Г08АББДАХ4-ИТ: Д |
МТ29Ф1Г16АББДАХК: Д |
|
МТ29Ф1Г08АБАДАХ4-ИТС: Д |
МТ29Ф1Г08АББДАХ4-ИТЭ: Д |
МТ29Ф1Г16АББДАХК-ИТ: Д |
|
МТ29Ф1Г08АБАДАМ68А3ВК1 |
МТ29Ф1Г08АББДАХ4-ИТС: Д |
МТ29Ф1Г16АББДАМ68А3ВК1 |
|
МТ29Ф1Г08АБАДАВП: Д |
МТ29Ф1Г08АББДАХК: Д |
МТ29Ф1Г16АББДАМД-ИТ: Д |
|
1Гб - М68М |
||
|
МТ29Ф1Г08АБАЭАХ4: Э |
МТ29Ф1Г08АББЭАХ4: Э |
МТ29Ф1Г16АББЭАХ4: Э |
|
МТ29Ф1Г08АБАЭАХ4-ИТ: Э |
МТ29Ф1Г08АББЭАХ4-ИТ: Э |
МТ29Ф1Г16АББЭАХ4-ИТ: Э |
|
МТ29Ф1Г08АБАЭАХ4-ИТС: Э |
МТ29Ф1Г08АББЭАХ4-ИТС: Э |
МТ29Ф1Г16АББЭАХ4-ИТС: Э |
|
МТ29Ф1Г08АБАЭАМ68М3ВК1 |
МТ29Ф1Г08АББЭАХК: Э |
МТ29Ф1Г16АББЭАХК: Э |
|
МТ29Ф1Г08АБАЭАВП: Э |
МТ29Ф1Г08АББЭАХК-ИТ: Э |
МТ29Ф1Г16АББЭАХК-ИТ: Э |
|
МТ29Ф1Г08АБАЭАВП-ИТ: Э |
МТ29Ф1Г08АББЭАМ68М3ВК1 |
МТ29Ф1Г16АББЭАМ68М3ВК1 |
|
МТ29Ф1Г08АБАЭАВП-ИТС: Э |
МТ29Ф1Г08АББЭАМД-ИТ: Э |
МТ29Ф1Г16АББЭАМД-ИТ: Э |
|
2Гб |
||
|
МТ29Ф2Г01АААЭДХ4: Э |
МТ29Ф2Г08АБАЭАМ69А3ВК1 |
МТ29Ф2Г08АББЭАМ69А3ВК1 |
|
МТ29Ф2Г01АААЭДХ4-ИТ: Э |
МТ29Ф2Г08АБАЭАВП: Э |
МТ29Ф2Г16АБАЭАМ69А3ВК1 |
|
МТ29Ф2Г01АААЭДХ4-ИТС: Э |
МТ29Ф2Г08АБАЭАВП-Э: Э |
МТ29Ф2Г16АБАЭАВП: Э |
|
МТ29Ф2Г01АААЭДХК: Э |
МТ29Ф2Г08АБАЭАВП-ИТ: Э |
МТ29Ф2Г16АБАЭАВП-ИТ: Э |
|
МТ29Ф2Г01АААЭДХК-ИТ: Э |
МТ29Ф2Г08АБАЭАВП-ИТС: Э |
МТ29Ф2Г16АББЭАХ4: Э |
|
МТ29Ф2Г08АБАЭАХ4: Э |
МТ29Ф2Г08АББЭАХ4: Э |
МТ29Ф2Г16АББЭАХ4-ИТ: Э |
|
МТ29Ф2Г08АБАЭАХ4-Э: Э |
МТ29Ф2Г08АББЭАХ4-ИТ: Э |
МТ29Ф2Г16АББЭАХК: Э |
|
МТ29Ф2Г08АБАЭАХ4-ИТ: Э |
МТ29Ф2Г08АББЭАХ4-ИТС: Э |
МТ29Ф2Г16АББЭАХК-ИТ: Э |
|
МТ29Ф2Г08АБАЭАХ4-ИТЭ: Э |
МТ29Ф2Г08АББЭАХК: Э |
МТ29Ф2Г16АББЭАМ69А3ВК1 |
|
МТ29Ф2Г08АБАЭАХ4-ИТС: Э |
МТ29Ф2Г08АББЭАХК-ИТ: Э |
|
|
4Гб |
||
|
МТ29Ф4Г01АААДДХК: Д |
МТ29Ф4Г08АБАДАВП-Э: Д |
МТ29Ф4Г16АБАДАМ60А3ВК1 |
|
МТ29Ф4Г01АААДДХК-ИТ: Д |
МТ29Ф4Г08АБАДАВП-ИТ: Д |
МТ29Ф4Г16АБАДАВП: Д |
|
МТ29Ф4Г01АААДДХК-ИТС: Д |
МТ29Ф4Г08АБАДАВП-ИТС: Д |
МТ29Ф4Г16АБАДАВП-ИТ: Д |
|
МТ29Ф4Г01АААДДМ60А3ВК1 |
МТ29Ф4Г08АББДАХ4: Д |
МТ29Ф4Г16АББДАХ4: Д |
|
МТ29Ф4Г01ААДДЭМ60А3ВК1 |
МТ29Ф4Г08АББДАХ4-ИТ: Д |
МТ29Ф4Г16АББДАХ4-ИТ: Д |
|
МТ29Ф4Г08АБАДАХ4: Д |
МТ29Ф4Г08АББДАХ4-ИТЭ: Д |
МТ29Ф4Г16АББДАХК: Д |
|
МТ29Ф4Г08АБАДАХ4-Э: Д |
МТ29Ф4Г08АББДАХ4-ИТС: Д |
МТ29Ф4Г16АББДАХК-ИТ: Д |
|
МТ29Ф4Г08АБАДАХ4-ИТ: Д |
МТ29Ф4Г08АББДАХК: Д |
МТ29Ф4Г16АББДАМ60А3ВК1 |
|
МТ29Ф4Г08АБАДАХ4-ИТЭ: Д |
МТ29Ф4Г08АББДАХК-ИТ: Д |
МТ29Ф4Г16АББДАВП: Д |
|
МТ29Ф4Г08АБАДАХ4-ИТС: Д |
МТ29Ф4Г08АББДАМ60А3ВК1 |
МТ29Ф4Г16АББДАВП-ИТ: Д |
|
МТ29Ф4Г08АБАДАМ60А3ВК1 |
МТ29Ф4Г16АБАДАХ4: Д |
МТ29Ф4Г08АБАДАВП: Д |
|
МТ29Ф4Г16АБАДАХ4-ИТ: Д |
|
|
|
8Гб |
||
|
МТ29Ф8Г08АБАБАМ61А3ВК1 |
МТ29Ф8Г08АБКББХ1-12: Б |
МТ29Ф8Г08АДБДАХ4-ИТ: Д |
|
МТ29Ф8Г08АБАБАВК-ИТ: Б |
МТ29Ф8Г08АБКББХ1-12ИТ: Б |
МТ29Ф8Г16АДАДАХ4: Д |
|
МТ29Ф8Г08АБАБАВП: Б |
МТ29Ф8Г08АДАДАХ4: Д |
МТ29Ф8Г16АДАДАХ4-ИТ: Д |
|
МТ29Ф8Г08АБАБАВП-ИТ: Б |
МТ29Ф8Г08АДАДАХ4-Э: Д |
МТ29Ф8Г16АДБДАХ4: Д |
|
МТ29Ф8Г08АБАБАВП-ИТС: Б |
МТ29Ф8Г08АДАДАХ4-ИТ: Д |
МТ29Ф8Г16АДБДАХ4-ИТ: Д |
|
МТ29Ф8Г08АБКББХ1-10: Б |
МТ29Ф8Г08АДАДАХ4-ИТЭ: Д |
МТ29Ф8Г08АБКББХ1-10ИТ: Б |
|
МТ29Ф8Г08АДБДАХ4: Д |
|
|
|
16Гб |
||
|
МТ29Ф16Г08АБАБАВК: Б |
МТ29Ф16Г08АБКББХ1-12П: Б |
МТ29Ф16Г08АФАБАВП-ИТ: Б |
|
МТ29Ф16Г08АБАБАВП: Б |
МТ29Ф16Г08АБЭББМ62Б3ВК1 |
МТ29Ф16Г08АДЖАДАВП: Д |
|
МТ29Ф16Г08АБАБАВП-ИТ: Б |
МТ29Ф16Г08АФАБАВК: Б |
МТ29Ф16Г08АДЖАДАВП-ИТ: Д |
|
МТ29Ф16Г08АБКББХ1-12: Б |
МТ29Ф16Г08АФАБАВК-ИТ: Б |
МТ29Ф16Г08АБКББХ1 -12ИТ: Б |
|
МТ29Ф16Г08АФАБАВП: Б |
|
|
|
32Гб |
||
|
МТ29Ф32Г08АДКББХ1-12: Б |
МТ29Ф32Г08АЭКББХ1-12ИТ: Б |
МТ29Ф32Г08АФАБАВП: Б |
|
МТ29Ф32Г08АЭКББХ1-12: Б |
МТ29Ф32Г08АЭКББХ1-12П: Б |
МТ29Ф32Г08АФАБАВП-ИТ: Б |
|
64Гб |
||
|
МТ29Ф64Г08АДЖАБАВП: Б |
МТ29Ф64Г08АККББХ2-12ИТ: Б |
МТ29Ф64Г08АМКББХ2-12ИТ: Б |
|
МТ29Ф64Г08АДЖАБАВП-ИТ: Б |
МТ29Ф64Г08АККББХ2-12П: Б |
МТ29Ф64Г08АМКББХ2-12П: Б |
|
МТ29Ф64Г08АДЖАБАВП-П: Б |
МТ29Ф64Г08АККББХ2-12К: Б |
МТ29Ф64Г08АККББХ2-12: Б |
|
МТ29Ф64Г08АМКББХ2-12: Б |
|
|
|
128Гб |
||
|
МТ29Ф128Г08АУКББХ3-12: Б |
МТ29Ф128Г08АУКББХ3-12ИТ: Б |
МТ29Ф128Г08АУКББХ3-12П: Б |
Применение:
Применения етк мобильных, врезанных, предприятия хранения
Наше преимущество:
уверена соотвествовать ваша потребность для всех видов компонентов. ^_^
Список продукта
Поставьте серию электронных блоков, полный диапасон полупроводников, активный & пассивное Компоненц.Ве может помочь вам получить все для бом ПКБ, В слове, вы может получить универсальное решение здесь,
Предложения включая:
Интегральная схемаа, память ИКс, диод, транзистор, конденсатор, резистор, варистор, взрыватель, триммер & потенциометр, трансформатор, батарея, кабель, реле, переключатель, соединитель, терминальный блок, Кристл & генератор, индуктор, датчик, трансформатор, водитель ИГБТ, СИД, ЛКД, конвертер, ПКБ (плата с печатным монтажом), ПКБА (собрание ПКБ)
Сильный в бренде:
Микросхема, МАКС, ОБЪЯВЛЕНИЕ, ТИ, НСП, АТМЭЛ, СТ, ДАЛЬШЕ, НС, Интерсил, Винбонд, Вишай, ИССИ, Инфинеон, НЭК, ФЭЙРЧАЙЛД, ОМРОН, ИАГЭО, ТДК, етк
Контактное лицо: Natasha
Телефон: 86-13723770752
Факс: 86-755-82815220
