ВЕРХНЯЯ ЧАСТЬ профессиональный раздатчик электронных блоков в Китае.
мы предлагаем универсальное обслуживание решения, от модулей связи, антенн, ПКБ, ПКБА, и всех компонентов для ПКБ Бом.
|
Подробная информация о продукте:
Оплата и доставка Условия:
|
| Номинальное напряжение AC IEC: | 690 В | Оценка ампера: | 125 a |
|---|---|---|---|
| Соответствует RoHS: | Да | Ширина продукта: | 40 мм |
| Длина продукта: | 135 мм | Высота продукта: | 64 mm |
| Выделить: | 900В СиС MOSFET TO-264,56A MOSFET с быстрым переключением,Модуль питания высокочастотного ИГБТ |
||
IXFN56N90P 900V 56A SiC MOSFET, низкое Rds(on) 65mΩ, быстрое переключение, высокая частота, надежный встроенный диод, работа при высоких температурах, корпус TO-264
Особенности
Международный стандартный корпус
miniBLOC, с изоляцией из нитрида алюминия
Низкое RDS(on) и QG
Оценка по лавинному пробою
Низкая индуктивность корпуса
Быстрый внутренний выпрямитель
Применения
Импульсные и резонансные источники питания
DC-DC преобразователи
Лазерные драйверы
Приводы переменного и постоянного тока
Робототехника и сервоприводы
Описание
IXFN56N90P представляет собой высоковольтный, сильноточный карбид кремния (SiC) MOSFET в корпусе TO-264, разработанный для обеспечения превосходной эффективности и производительности в требовательных системах преобразования энергии. Он использует преимущества технологии SiC, предлагая превосходное сочетание напряжения пробоя 900 В и непрерывного тока 56 А. Его очень низкое сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)) 65 мΩ минимизирует потери проводимости, в то время как присущие свойства SiC обеспечивают чрезвычайно высокую скорость переключения с низкими потерями, что позволяет работать на высоких частотах. Это уменьшает размер и стоимость пассивных компонентов, таких как магнитопроводы и конденсаторы. MOSFET имеет надежный встроенный диод с отличными характеристиками обратного восстановления, что повышает его надежность в приложениях с жесткой коммутацией. Его способность работать при высоких температурах и стандартный корпус делают его надежным и универсальным решением для современных конструкций источников питания.ИНФОРМАЦИЯ
Категория
|
Дискретные полупроводниковые изделия
|
|
|
|
IXYS
|
|
|
|
HiPerFET™, Polar
|
|
|
|
Трубка
|
Статус детали
|
|
|
Активный
|
Тип FET
|
|
|
N-канальный
|
|
|
|
MOSFET (оксид металла)
|
|
|
|
900 В
|
Ток - непрерывный сток (Id) при 25°C
|
|
|
56A (Tc)
|
|
|
|
10 В
|
Rds On (макс.) при Id, Vgs
|
|
|
135 мОм при 28 А, 10 В
|
Vgs(th) (макс.) при Id
|
|
|
6,5 В при 3 мА
|
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
|
|
|
375 нКл при 10 В
|
Vgs (макс.)
|
|
|
±30 В
|
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
|
|
|
23000 пФ при 25 В
|
Особенность FET
|
|
|
-
|
Тип монтажа
|
|
|
1000 Вт (Tc)
|
Рабочая температура
|
|
|
-55°C ~ 150°C (TJ)
|
Класс
|
|
|
-
|
Тип монтажа
|
|
|
-
|
Тип монтажа
|
|
|
Монтаж на шасси
|
Корпус устройства поставщика
|
|
|
SOT-227B
|
Корпус / Корпус
|
|
|
SOT-227-4, miniBLOC
|
|
|
|
IXFN56
|
Наше преимущество:
![]()
телефоны, КПК, ноутбукиВысококачественные продукты --- наши предложения на 100% новые и оригинальные, ROHS
^_^Список продуктов
Поставка серии электронных компонентов, полный спектр полупроводников, активных и пассивных компонентов. Мы можем помочь вам получить все для спецификации печатной платы, одним словом, вы можете получить здесь комплексное решение,
Предложения включают:
Интегральные схемы, микросхемы памяти, диоды, транзисторы, конденсаторы, резисторы, варисторы, предохранители, триммеры и потенциометры, трансформаторы, батареи, кабели, реле, переключатели, разъемы, клеммные колодки, кварцы и генераторы, индукторы, датчики, трансформаторы, драйверы IGBT, светодиоды, ЖК-дисплеи, преобразователи, печатные платы (PCB), PCBA (сборка печатных плат)
Сильны в брендах:
Microchip, MAX, AD, TI, ATMEL, ST, ON, NS, Intersil, Winbond, Vishay, ISSI, Infineon, NEC, FAIRCHILD, OMRON, YAGEO, TDK и т. д.
иnbsp;
Контактное лицо: Mrs. Natasha
Телефон: 86-13723770752
Факс: 86-755-82815220