Главная страница Продукция компоненты интегральной схемаы

Ультранизкая мощность 0,0015Ω MOSFET в двойной PQFN с рейтингом лавин AEC-Q101 175 °C -40V/-30V логический уровень и без галогена для высокоэффективного преобразования мощности

Все продукты

Модуль 4G 5G (37)

Беспроводной модуль связи (38)

Модуль GPS приемника (11)

Интегрированные силовые модули (4)

Силовой модуль БТИЗ (24)

компоненты интегральной схемаы (523)

Пассивные электронные блоки (80)

высокая антенна gps увеличения (14)

беспроводная антенна связи (30)

комбинированная антенна (14)

Антенна низкой частоты (5)

Антенна цифров TV (7)

РФ коаксиальный кабель (9)

коаксиловый разъем rf (10)

Услуги агрегат PCB (5)

Терминал разъемы блока (16)

КИТАЙ TOP Electronic Industry Co., Ltd. Сертификаты

Превосходный продукт, хорошее качество, конкурентоспособная цена, профессиональная услуга, с 10 летами сотрудничества, теперь мы будем хорошим одином другого друзей.

—— Рональд-от Boilvia

Оно очень радостный найти ВЕРХНЯЯ ЧАСТЬ как наш соучастник в Китае, здесь мы можем получить самый лучший продукт и serice, они всегда кладут клиента на первое место.

—— Карлос-от Аргентины

Я очень удовлетворен с полностью вашим обслуживанием. Это действительно хорошая команда! с вашим универсальный предложением разрешения, помогите нам сохранить много время и денег

—— Giancarlo-от Италии

Оставьте нам сообщение

Ультранизкая мощность 0,0015Ω MOSFET в двойной PQFN с рейтингом лавин AEC-Q101 175 °C -40V/-30V логический уровень и без галогена для высокоэффективного преобразования мощности

Большие изображения : Ультранизкая мощность 0,0015Ω MOSFET в двойной PQFN с рейтингом лавин AEC-Q101 175 °C -40V/-30V логический уровень и без галогена для высокоэффективного преобразования мощности

Подробная информация о продукте:

Место происхождения:	КИТАЙ
Фирменное наименование:	Infineon
Сертификация:	CE, GCF, ROHS
Номер модели:	IRF7351TRPBF

Оплата и доставка Условия:

Количество мин заказа:	1
Цена:	negotiable
Упаковывая детали:	Сначала упакован в оригинальный поднос, затем Carton, в последней пузырьковой сумке для внешней упак
Время доставки:	3-5 рабочих дней после получения платежа
Условия оплаты:	T/T, Western Union,
Поставка способности:	1000 шт в месяц

контакт

Подробное описание продукта

Функция:	Впред, вниз	Выходная конфигурация:	Положительный или отрицательный
Топология:	Бак, повысить	Вывод типа:	Регулируемый
Количество выходов:	1
Выделить:	Ультранизкомощный 0 , 0015Ω MOSFET , AEC-Q101 Avalanche Rated MOSFET (МОСФЕТ с рейтингом лавины)

Сверхнизкий 0,0015andOmega; силовой MOSFET в двойном PQFN с лавинным рейтингом AEC-Q101 175anddeg;C -40В/-30В логического уровня и без галогенов для высокоэффективного преобразования энергии

andnbsp;

Особенности

Сверхнизкий импеданс затвора

Полностью охарактеризованное лавинное напряжение и ток

20В VGS Макс. Рейтинг затвора

andnbsp;

Применения

Синхронный выпрямительный MOSFET для изолированных DC-DC преобразователей

Системы привода маломощных двигателей

andnbsp;

Описание

IRF7351TRPBF - это высокопроизводительный, двойной N-канальный MOSFET от Infineon Technologies, интегрированный в компактный корпус PQFN 5x6 мм. Он специально разработан для синхронных понижающих преобразователей и других приложений управления питанием, требующих высокой эффективности и высокой плотности мощности.

andnbsp;

ИНФОРМАЦИЯ

Категория	Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET FET, массивы MOSFET	andnbsp;
Производитель	Infineon Technologies	andnbsp;
Серия	HEXFETandreg;	andnbsp;
Упаковка	Лента и катушка (TR) Отрезанная лента (CT) Digi-Reelandreg;	andnbsp; andnbsp; andnbsp;
Статус детали	Активный	andnbsp;
Технология	MOSFET (Metal Oxide)	andnbsp;
Конфигурация	2 N-канальных (двойных)	andnbsp;
Особенность FET	Логический уровень затвора	andnbsp;
Напряжение сток-исток (Vdss)	60В	andnbsp;
Ток - непрерывный сток (Id) при 25anddeg;C	8A	andnbsp;
Rds On (Max) при Id, Vgs	17,8 мОм при 8A, 10В	andnbsp;
Vgs(th) (Max) при Id	4В при 50andmicro;A	andnbsp;
Заряд затвора (Qg) (Max) при Vgs	36нК при 10В	andnbsp;
Входная емкость (Ciss) (Max) при Vds	1330пФ при 30В	andnbsp;
Мощность - Макс.	2Вт	andnbsp;
Рабочая температура	-55anddeg;C ~ 150anddeg;C (TJ)	andnbsp;
Тип монтажа	Поверхностный монтаж	andnbsp;
Корпус / Корпус	8-SOIC (0,154", ширина 3,90 мм)	andnbsp;
Корпус устройства поставщика	8-SO	andnbsp;
Базовый номер продукта	IRF7351

andnbsp;

Чертеж

Наше преимущество:телефоны, КПК, ноутбуки

Высококачественная продукция --- наши предложения на 100% новые и оригинальные, ROHS
Конкурентоспособная цена --- хорошие каналы закупок с хорошей ценой.
Профессиональное обслуживание --- строгий контроль качества перед отправкой и безупречное послепродажное обслуживание после покупки.
Адекватный запас --- При поддержке нашей сильной команды закупок,
Быстрая доставка --- мы отправим товар в течение 1-3 рабочих дней после подтверждения оплаты.

andnbsp;

обязательно удовлетворит вашу потребность во всех видах компонентов.^_^

Список продуктов
Поставка серии электронных компонентов, полный спектр полупроводников, активных и пассивных компонентов. Мы можем помочь вам получить все для спецификации печатной платы, одним словом, вы можете получить здесь комплексное решение,

Предложения включают:
Интегральные схемы, микросхемы памяти, диоды, транзисторы, конденсаторы, резисторы, варисторы, предохранители, триммеры и потенциометры, трансформаторы, батареи, кабели, реле, переключатели, разъемы, клеммные колодки, кварцы и генераторы, индукторы, датчики, трансформаторы, драйверы IGBT, светодиоды, ЖК-дисплеи, преобразователи, печатные платы (PCB), PCBA (сборка печатных плат)

Сильны в брендах:
Microchip, MAX, AD, TI, ATMEL, ST, ON, NS, Intersil, Winbond, Vishay, ISSI, Infineon, NEC, FAIRCHILD, OMRON, YAGEO, TDK и т.д.

andnbsp;

тег:

Контактное лицо: Mrs. Natasha

Телефон: 86-13723770752

Факс: 86-755-82815220

Другие продукты

LM3410YSD/NOPB 1,6 МГц понижающий преобразователь 2,7-5,5 В вход, 750 мА выход, КПД 92%, корпус SOT-23-5, внутренний ключ, 1 мкА в режиме выключения, от -40°C до +125°C, для портативных устройств

Функция: Впред, вниз