Brand: TOP Electronic Industry Co., Ltd.
SKU: SPA04N80C3XKSA1
Price: 364.05 USD
Availability: InStock

Главная страница Продукция компоненты интегральной схемаы

Все продукты

Модуль 4G 5G (37)

Беспроводной модуль связи (38)

Модуль GPS приемника (11)

Интегрированные силовые модули (4)

Силовой модуль БТИЗ (91)

компоненты интегральной схемаы (565)

Пассивные электронные блоки (94)

высокая антенна gps увеличения (14)

беспроводная антенна связи (30)

комбинированная антенна (14)

Антенна низкой частоты (5)

Антенна цифров TV (7)

РФ коаксиальный кабель (9)

коаксиловый разъем rf (10)

Услуги агрегат PCB (5)

Терминал разъемы блока (19)

КИТАЙ TOP Electronic Industry Co., Ltd. Сертификаты

Превосходный продукт, хорошее качество, конкурентоспособная цена, профессиональная услуга, с 10 летами сотрудничества, теперь мы будем хорошим одином другого друзей.

—— Рональд-от Boilvia

Оно очень радостный найти ВЕРХНЯЯ ЧАСТЬ как наш соучастник в Китае, здесь мы можем получить самый лучший продукт и serice, они всегда кладут клиента на первое место.

—— Карлос-от Аргентины

Я очень удовлетворен с полностью вашим обслуживанием. Это действительно хорошая команда! с вашим универсальный предложением разрешения, помогите нам сохранить много время и денег

—— Giancarlo-от Италии

Оставьте нам сообщение

SPA04N80C3XKSA1 Power MOSFET 800V Ultra-High Voltage 4A Current Low Rds(on) Super Junction Technology Low Gate Charge High Efficiency Halogen-Free Robust Performance for SMPS and Industrial Drives

Большие изображения :

Подробная информация о продукте:

Место происхождения:	КИТАЙ
Фирменное наименование:	Infineon
Сертификация:	CE, GCF, ROHS
Номер модели:	SPA04N80C3XKSA1

Оплата и доставка Условия:

Количество мин заказа:	1
Цена:	negotiable
Упаковывая детали:	Сначала упакован в оригинальный поднос, затем Carton, в последней пузырьковой сумке для внешней упак
Время доставки:	3-5 рабочих дней после получения платежа
Условия оплаты:	T/T, Western Union,
Поставка способности:	1000 шт в месяц

контакт

Подробное описание продукта

Функция:	Впред, вниз	Выходная конфигурация:	Положительный или отрицательный
Топология:	Бак, повысить	Вывод типа:	Регулируемый
Количество выходов:	1
Выделить:	800V Power MOSFET for SMPS , Super Junction MOSFET low Rds(on) , Halogen-Free Power MOSFET industrial drives

SPA04N80C3XKSA1 Power MOSFET 800V Ultra-High Voltage 4A Current Low Rds ((on) Super Junction Technology Low Gate Charge High Efficiency Halogen-Free Robust Performance for SMPS andamp;Промышленные приводы

иnbsp;

Особенности

Новая революционная высоковольтная технология

Указанные экстремальные dv/dt

Высокая способность пикового тока

Квалифицирован в соответствии с JEDEC1) для целевых применений

Свинцовое покрытие без Pb; соответствует требованиям RoHS

Ультра низкая зарядка шлюза

Сверхнизкая эффективная емкость

Полностью изолированная упаковка (2500 VAC; 1 минута)

иnbsp;

Заявления

1:Силовые источники с переключателем режима (SMPS)

2:Круги коррекции фактора мощности (PFC)

3:Промышленные двигатели и приборы управления

4:Балласты освещения и светодиодные драйверы

5:Системы возобновляемой энергетики

иnbsp;

Описание

SPA04N80C3XKSA1 - это высоковольтный N-канал питания MOSFET с использованием передовой технологии суперсоединения,обеспечение исключительной эффективности и надежности для требовательных приложений конверсии мощности.

иnbsp;

Информация

Категория	Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET	иnbsp;
Мфр	Infineon Technologies	иnbsp;
Серия	CoolMOSandtrade;	иnbsp;
Опаковка	Трубка	иnbsp;
Статус части	Старый	иnbsp;
Тип FET	N-канал	иnbsp;
Технологии	MOSFET (оксид металла)	иnbsp;
Напряжение отхода к источнику (Vdss)	800 В	иnbsp;
Течение - непрерывный отток (Id) @ 25anddeg;C	4А (Tc)	иnbsp;
Напряжение привода (макс. RDS включено, минимум RDS включено)	10 В	иnbsp;
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.3Ом @ 2,5А, 10В	иnbsp;
Vgs(th) (макс.) @ Id	3.9В @ 240 и микро;A	иnbsp;
Загрузка шлюза (Qg) (макс.) @ Vgs	31 nC @ 10 В	иnbsp;
Vgs (макс.)	и плюсmn; 20В	иnbsp;
Вводная емкость (Ciss) (Max) @ Vds	570 pF @ 100 В	иnbsp;
Функция FET	-	иnbsp;
Рассеивание энергии (макс.)	38 Вт (Tc)	иnbsp;
Операционная температура	-55°C ~ 150°C (TJ)	иnbsp;
Уровень	-	иnbsp;
Квалификация	-	иnbsp;
Тип установки	Через дыру	иnbsp;
Пакет изделий поставщика	PG-TO220-3-31	иnbsp;
Пакет / чемодан	TO-220-3 Полная упаковка	иnbsp;
Номер базовой продукции	SPA04N80

иnbsp;

Рисунок

Наше преимущество:Телефоны, PDA и ноутбуки

Высококачественные продукты --- наши предложения на 100% новые и оригинальные, ROHS
Конкурентоспособная цена --- хорошие каналы закупок с хорошей ценой.
Профессиональное обслуживание --- строгое тестирование качества перед отгрузкой и идеальное послепродажное обслуживание после покупки.
Достаточный запас --- С поддержкой нашей сильной команды по закупкам,
Быстрая доставка --- мы отправим товар в течение 1-3 рабочих дней после подтверждения оплаты.

иnbsp;

Убедитесь, что удовлетворяет потребности всех видов компонентов.^_^

Список продуктов
Поставляем серию электронных компонентов, полный спектр полупроводников, активных и пассивных компонентов. Мы можем помочь вам получить все для бома PCB, одним словом, вы можете получить одностороннее решение здесь,

Предложения включают:
Интегрированная схема, память ICs, диод, транзистор, конденсатор, резистор, варистор, предохранитель, триммер и потенциометр, трансформатор, батарея, кабель, реле, переключатель, соединитель, терминальный блок,Кристаллы и амперы; Осциллятор, индуктор, датчик, трансформатор, IGBT драйвер, LED,LCD, конвертор, PCB (печатная плата),PCBA (сборка PCB)

Сильный бренд:
Microchip, MAX, AD, TI, ATMEL, ST, ON, NS, Intersil, Winbond, Vishay, ISSI, Infineon, NEC, FAIRCHILD, OMRON, YAGEO, TDK и т.д.