Главная страница Продукция компоненты интегральной схемаы

SI2304DS, 215 N-канальный 20В 3.7A MOSFET с ультранизким сопротивлением открытого канала 45 мОм в корпусе SOT-23. Высокопроизводительное управление питанием и логическим уровнем затвора для компактных конструкций с повышенной эффективностью.

Все продукты

Модуль 4G 5G (37)

Беспроводной модуль связи (38)

Модуль GPS приемника (11)

Интегрированные силовые модули (4)

Силовой модуль БТИЗ (0)

компоненты интегральной схемаы (204)

Пассивные электронные блоки (12)

высокая антенна gps увеличения (14)

беспроводная антенна связи (30)

комбинированная антенна (14)

Антенна низкой частоты (5)

Антенна цифров TV (7)

РФ коаксиальный кабель (9)

коаксиловый разъем rf (10)

Услуги агрегат PCB (5)

Терминал разъемы блока (16)

КИТАЙ TOP Electronic Industry Co., Ltd. Сертификаты

Превосходный продукт, хорошее качество, конкурентоспособная цена, профессиональная услуга, с 10 летами сотрудничества, теперь мы будем хорошим одином другого друзей.

—— Рональд-от Boilvia

Оно очень радостный найти ВЕРХНЯЯ ЧАСТЬ как наш соучастник в Китае, здесь мы можем получить самый лучший продукт и serice, они всегда кладут клиента на первое место.

—— Карлос-от Аргентины

Я очень удовлетворен с полностью вашим обслуживанием. Это действительно хорошая команда! с вашим универсальный предложением разрешения, помогите нам сохранить много время и денег

—— Giancarlo-от Италии

Оставьте нам сообщение

SI2304DS, 215 N-канальный 20В 3.7A MOSFET с ультранизким сопротивлением открытого канала 45 мОм в корпусе SOT-23. Высокопроизводительное управление питанием и логическим уровнем затвора для компактных конструкций с повышенной эффективностью.

Большие изображения : SI2304DS, 215 N-канальный 20В 3.7A MOSFET с ультранизким сопротивлением открытого канала 45 мОм в корпусе SOT-23. Высокопроизводительное управление питанием и логическим уровнем затвора для компактных конструкций с повышенной эффективностью.

Подробная информация о продукте:

Место происхождения:	КИТАЙ
Фирменное наименование:	NXP Semiconductors
Сертификация:	CE, GCF, ROHS
Номер модели:	SI2304DS, 215

Оплата и доставка Условия:

Количество мин заказа:	1
Цена:	negotiable
Упаковывая детали:	Сначала упакован в оригинальный поднос, затем Carton, в последней пузырьковой сумке для внешней упак
Время доставки:	3-5 рабочих дней после получения платежа
Условия оплаты:	T/T, Western Union,
Поставка способности:	1000 шт в месяц

контакт

Подробное описание продукта

Функция:	Впред, вниз	Выходная конфигурация:	Положительный или отрицательный
Топология:	Бак, повысить	Вывод типа:	Регулируемый
Количество выходов:	1

SI2304DS, 215 N-канальный 20В 3.7A MOSFET с ультранизким сопротивлением открытого канала 45 мОм в корпусе SOT-23. Высокопроизводительное управление питанием с повышенной эффективностью и логическим уровнем управления затвором для компактных конструкций.

Особенности

Технология TrenchMOS™

Очень быстрое переключение

Миниатюрный корпус для поверхностного монтажа.

Применения

Управление батареями

Высокоскоростной переключатель

Маломощный преобразователь постоянного тока в постоянный.

Описание

N-канальный полевой транзистор с улучшенным режимом работы в пластиковом корпусе, использующий технологию TrenchMOS™1

Доступность продукта: SI2304DS в SOT23.

ИНФОРМАЦИЯ

Категория	Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET
Производитель	Nexperia USA Inc.
Серия	TrenchMOS™
Упаковка	Лента и катушка (TR) Отрезанная лента (CT) Digi-Reel®
Статус детали	Устарело
Тип FET	N-канал
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (Vdss)	30 В
Ток - непрерывный сток (Id) при 25°C	1.7A (Tc)
Напряжение управления (макс. Rds On, мин. Rds On)	4.5В, 10В
Rds On (макс.) при Id, Vgs	117 мОм при 500 мА, 10 В
Vgs(th) (макс.) при Id	2В при 1 мА
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs	4.6 нКл при 10 В
Vgs (макс.)	±20В
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	195 пФ при 10 В
Особенность FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	830 мВт (Tc)
Рабочая температура	-65°C ~ 150°C (TJ)
Класс	-
Квалификация	-
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Корпус устройства поставщика	TO-236AB
Корпус / Корпус	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Чертеж

Наше преимущество:

Высококачественная продукция --- наши предложения на 100% новые и оригинальные, ROHS
Конкурентоспособная цена --- хорошие каналы закупок с хорошей ценой.
Профессиональное обслуживание --- строгий контроль качества перед отправкой и безупречное послепродажное обслуживание после покупки.
Адекватный запас --- При поддержке нашей сильной команды по закупкам,
Быстрая доставка --- мы отправим товар в течение 1-3 рабочих дней после подтверждения оплаты.

обязательно удовлетворит вашу потребность во всех видах компонентов.^_^

Список продуктов
Поставка серии электронных компонентов, полный спектр полупроводников, активных и пассивных компонентов. Мы можем помочь вам получить все для спецификации печатной платы, одним словом, вы можете получить здесь комплексное решение,

Предложения включают:
Интегральные схемы, микросхемы памяти, диоды, транзисторы, конденсаторы, резисторы, варисторы, предохранители, триммеры и потенциометры, трансформаторы, батареи, кабели, реле, переключатели, разъемы, клеммные колодки, кварцы и генераторы, индукторы, датчики, трансформаторы, драйверы IGBT, светодиоды, ЖК-дисплеи, преобразователи, печатные платы (PCB), PCBA (сборка печатных плат)

Сильны в брендах:
Microchip, MAX, AD, TI, ATMEL, ST, ON, NS, Intersil, Winbond, Vishay, ISSI, Infineon, NEC, FAIRCHILD, OMRON, YAGEO, TDK и т.д.

тег:

Контактное лицо: Mrs. Natasha

Телефон: 86-13723770752

Факс: 86-755-82815220

Другие продукты

SSM3K361R,LF N-Channel 20V 3A MOSFET с ультранизким 40mΩ RDS ((on) SOT-23 Пакет Высокая плотность питания Высшая эффективность Быстрое переключение и управление логическим уровнем для компактных конструкций

Функция: Впред, вниз