Главная страница Продукция компоненты интегральной схемаы

CSD17309Q3 30В N-канальный NexFET™ MOSFET с сопротивлением открытого канала 3,6 мОм, непрерывным током 40 А, рабочей температурой 175°C, ультранизким зарядом затвора, корпусом SON 3x3 мм, соответствует требованиям AEC-Q101 и не содержит свинец

Все продукты

Модуль 4G 5G (37)

Беспроводной модуль связи (38)

Модуль GPS приемника (11)

Интегрированные силовые модули (4)

Силовой модуль БТИЗ (0)

компоненты интегральной схемаы (204)

Пассивные электронные блоки (12)

высокая антенна gps увеличения (14)

беспроводная антенна связи (30)

комбинированная антенна (14)

Антенна низкой частоты (5)

Антенна цифров TV (7)

РФ коаксиальный кабель (9)

коаксиловый разъем rf (10)

Услуги агрегат PCB (5)

Терминал разъемы блока (16)

КИТАЙ TOP Electronic Industry Co., Ltd. Сертификаты

Превосходный продукт, хорошее качество, конкурентоспособная цена, профессиональная услуга, с 10 летами сотрудничества, теперь мы будем хорошим одином другого друзей.

—— Рональд-от Boilvia

Оно очень радостный найти ВЕРХНЯЯ ЧАСТЬ как наш соучастник в Китае, здесь мы можем получить самый лучший продукт и serice, они всегда кладут клиента на первое место.

—— Карлос-от Аргентины

Я очень удовлетворен с полностью вашим обслуживанием. Это действительно хорошая команда! с вашим универсальный предложением разрешения, помогите нам сохранить много время и денег

—— Giancarlo-от Италии

Оставьте нам сообщение

CSD17309Q3 30В N-канальный NexFET™ MOSFET с сопротивлением открытого канала 3,6 мОм, непрерывным током 40 А, рабочей температурой 175°C, ультранизким зарядом затвора, корпусом SON 3x3 мм, соответствует требованиям AEC-Q101 и не содержит свинец

Большие изображения : CSD17309Q3 30В N-канальный NexFET™ MOSFET с сопротивлением открытого канала 3,6 мОм, непрерывным током 40 А, рабочей температурой 175°C, ультранизким зарядом затвора, корпусом SON 3x3 мм, соответствует требованиям AEC-Q101 и не содержит свинец

Подробная информация о продукте:

Place of Origin:	China
Фирменное наименование:	Texas Instruments
Сертификация:	CE, GCF, ROHS
Model Number:	CSD17309Q3

Оплата и доставка Условия:

Minimum Order Quantity:	1
Цена:	negotiable
Packaging Details:	Packed in original tray firstly ,then carton, at last Bubble bag for outer packing
Delivery Time:	3-5 working days after received the payment
Payment Terms:	T/T, Western Union,
Supply Ability:	1000pcs per month

контакт

Подробное описание продукта

Function:	Step-Up, Step-Down	Output Configuration:	Positive or Negative
Topology:	Buck, Boost	Output Type:	Adjustable
Number of Outputs:	1
Выделить:	30В N-канальный MOSFET с сопротивлением открытого канала 3 , 6 мОм , Квалифицированный по AEC-Q101 NexFET™ MOSFET

CSD17309Q3 30 В N-канальный NexFET™ MOSFET с 3,6 мОм RDS(on), непрерывным током 40 А, рейтингом 175°C, ультра-низким Qg, корпусом SON 3 мм×3 мм, AEC-Q101 Qualified и Pb-Free

Особенности

• Оптимизирован для управления затвором 5 В

• Сверхнизкие Qg и Qgd

• Низкое тепловое сопротивление

• Рассчитан на лавину

• Бессвинцовое покрытие выводов

• Соответствует RoHS

• Без галогенов

• Пластиковый корпус SON 3,3 мм×3,3 мм

Применения

• Point of Load для ноутбуков

• Point of Load синхронный понижающий преобразователь в сетях,

телекоммуникациях и вычислительных системах

Описание

Этот силовой MOSFET NexFET 30 В, 4,2 мОм разработан для минимизации потерь в приложениях преобразования энергии и оптимизирован для приложений с управлением затвором 5 В.

ИНФОРМАЦИЯ

Категория	Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET
Производитель	Texas Instruments
Серия	NexFET™
Упаковка	Лента и катушка (TR) Отрезанная лента (CT) Digi-Reel®
Статус детали	Активный
Тип FET	N-канальный
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (Vdss)	30 В
Ток - непрерывный сток (Id) при 25°C	20 А (Ta), 60 А (Tc)
Напряжение управления (Max Rds On, Min Rds On)	3 В, 8 В
Rds On (Max) при Id, Vgs	5,4 мОм при 18 А, 8 В
Vgs(th) (Max) при Id	1,7 В при 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Max) при Vgs	10 нКл при 4,5 В
Vgs (Max)	+10 В, -8 В
Входная емкость (Ciss) (Max) при Vds	1440 пФ при 15 В
Особенность FET	-
Рассеиваемая мощность (Max)	2,8 Вт (Ta)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Класс	-
Квалификация	-
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Корпус устройства поставщика	8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Корпус / Кейс	8-PowerTDFN
Базовый номер продукта	CSD17309

Чертеж

Наше преимущество:

Высококачественная продукция --- наши предложения на 100% новые и оригинальные, ROHS
Конкурентоспособная цена --- хорошие каналы закупок с хорошей ценой.
Профессиональное обслуживание --- строгий контроль качества перед отправкой и безупречное послепродажное обслуживание после покупки.
Адекватный инвентарь --- При поддержке нашей сильной команды закупок,
Быстрая доставка --- мы отправим товар в течение 1-3 рабочих дней после подтверждения оплаты.

обязательно удовлетворит вашу потребность во всех видах компонентов.^_^

Список продуктов
Поставка серии электронных компонентов, полный спектр полупроводников, активных и пассивных компонентов. Мы можем помочь вам получить все для спецификации печатной платы, одним словом, вы можете получить здесь комплексное решение,

Предложения включают:
Интегральные схемы, микросхемы памяти, диоды, транзисторы, конденсаторы, резисторы, варисторы, предохранители, триммеры и потенциометры, трансформаторы, батареи, кабели, реле, переключатели, разъемы, клеммные колодки, кварцевые резонаторы и генераторы, индукторы, датчики, трансформаторы, драйверы IGBT, светодиоды, ЖК-дисплеи, преобразователи, печатные платы (PCB), PCBA (сборка печатных плат)

Сильны в брендах:
Microchip, MAX, AD, TI, ATMEL, ST, ON, NS, Intersil, Winbond, Vishay, ISSI, Infineon, NEC, FAIRCHILD, OMRON, YAGEO, TDK и т. д.

тег:

Контактное лицо: Mrs. Natasha

Телефон: 86-13723770752

Факс: 86-755-82815220

Другие продукты

CSD25404Q3T 40В P-канальный NexFET™ MOSFET с 8,5 мОм RDS(on), ток 50A, температура 175°C, низкий Qg, корпус SON 3,3 мм×3,3 мм, соответствует AEC-Q101 и безгалогенный дизайн

Function: Step-Up, Step-Down