ВЕРХНЯЯ ЧАСТЬ профессиональный раздатчик электронных блоков в Китае.
мы предлагаем универсальное обслуживание решения, от модулей связи, антенн, ПКБ, ПКБА, и всех компонентов для ПКБ Бом.
|
Подробная информация о продукте:
Оплата и доставка Условия:
|
| Частотная стабильность: | ±50ppm | Толерантность частоты: | ± 30 ppm |
|---|---|---|---|
| Рабочая температура: | -40 ° C ~ 85 ° C. | Вместимость груза: | 18pF |
| Пакет / корпус: | HC-49/US | Имя: | пассивные электронные блоки |
| Выделить: | Счетная стоимость,CSD17304Q3 N-канальный NexFET,30В Н-канальный NexFET |
||
CSD17304Q3
andnbsp;
ОСОБЕННОСТИ
andbull; Оптимизирован для управления затвором 5 В
andbull; Сверхнизкие Qg и Qgd
andbull; Низкое тепловое сопротивление
andbull; Рассчитан на лавину
andbull; Бессвинцовое покрытие выводов
andbull; Соответствует RoHS
andbull; Без галогенов
andbull; Пластиковый корпус SON 3,3 мм x 3,3 мм
andnbsp;
ПРИМЕНЕНИЯ
andbull; Точка нагрузки ноутбука
andbull; Синхронный понижающий преобразователь в точке нагрузки в
andnbsp;andnbsp;Сетевые, телекоммуникационные и вычислительные системы
andnbsp;
ОПИСАНИЕ
CSD17304Q3 - это 30-вольтовый N-канальный силовой MOSFET NexFETandtrade; от Texas Instruments (TI), отличающийся усовершенствованным корпусом SON 3,3x3,3 мм. Разработан для высокоточного, высокоэффективного преобразования энергии, его сверхнизкое Rds(on) (2,2 мОм) и способность к непрерывному току 60 А делают его идеальным для автомобильной электроники, промышленных систем питания и приводов двигателей.
✔ На 80% меньше, чем корпуса TO-220
✔ На 60% меньше потери проводимости (по сравнению с MOSFET 5 мОм)
✔ Поддерживает коммутацию ШИМ 1 МГц
andnbsp;
ИНФОРМАЦИЯ
|
Категория
|
andnbsp;
|
|
|
Производитель
|
andnbsp;
|
|
|
Серия
|
andnbsp;
|
|
|
Упаковка
|
Лента и катушка (TR)
Отрезанная лента (CT)
Digi-Reelandreg;
|
andnbsp;
andnbsp;
andnbsp;
|
|
Статус детали
|
Активный
|
andnbsp;
|
|
Тип FET
|
andnbsp;
|
|
|
Технология
|
andnbsp;
|
|
|
Напряжение сток-исток (Vdss)
|
30 В
|
andnbsp;
|
|
Ток - непрерывный сток (Id) при 25anddeg;C
|
andnbsp;
|
|
|
Напряжение управления (макс. Rds On, мин. Rds On)
|
3 В, 8 В
|
andnbsp;
|
|
Rds On (макс.) при Id, Vgs
|
7,5 мОм при 17 А, 8 В
|
andnbsp;
|
|
Vgs(th) (макс.) при Id
|
1,8 В при 250 мкА
|
andnbsp;
|
|
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
|
6,6 нКл при 4,5 В
|
andnbsp;
|
|
Vgs (макс.)
|
+10 В, -8 В
|
andnbsp;
|
|
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
|
955 пФ при 15 В
|
andnbsp;
|
|
Особенность FET
|
-
|
andnbsp;
|
|
Рассеиваемая мощность (макс.)
|
2,7 Вт (Ta)
|
andnbsp;
|
|
Рабочая температура
|
-55anddeg;C ~ 150anddeg;C (TJ)
|
andnbsp;
|
|
Класс
|
-
|
andnbsp;
|
|
Квалификация
|
-
|
andnbsp;
|
|
Тип монтажа
|
Поверхностный монтаж
|
andnbsp;
|
|
Корпус устройства поставщика
|
8-VSON-CLIP (3,3x3,3)
|
andnbsp;
|
|
Корпус / Корпус
|
andnbsp;
|
|
|
Базовый номер продукта
|
andnbsp;
Чертеж
![]()
andnbsp;
andnbsp;
andnbsp;
andnbsp;
andnbsp;
1. 10-летний опыт работы с компонентами; Универсальное обслуживание для списка BOM; Обслуживание PCBandamp;PCBA.
2. Производство коммуникационных антенн, коаксиального кабеля RF, разъема RF, клемм.
3. Распространение модулей GSM/GPRS, GPS, 3G, 4G/LTE.
Наши высококачественные продукты, конкурентоспособные цены и профессиональное обслуживание,
andnbsp;
Контактное лицо: Mrs. Natasha
Телефон: 86-13723770752
Факс: 86-755-82815220