Главная страница Продукция компоненты интегральной схемаы

SI2333DDS-T1-GE3 20 В P-канальный MOSFET 4,1 А непрерывный ток 0,045 Ом Rds(on) 1,8 В логический уровень управления TO-236-3 SC-59 SOT-23-3 -55°C до +150°C AEC-Q101 квалифицирован

Все продукты

Модуль 4G 5G (37)

Беспроводной модуль связи (38)

Модуль GPS приемника (11)

Интегрированные силовые модули (4)

Силовой модуль БТИЗ (58)

компоненты интегральной схемаы (533)

Пассивные электронные блоки (91)

высокая антенна gps увеличения (14)

беспроводная антенна связи (30)

комбинированная антенна (14)

Антенна низкой частоты (5)

Антенна цифров TV (7)

РФ коаксиальный кабель (9)

коаксиловый разъем rf (10)

Услуги агрегат PCB (5)

Терминал разъемы блока (16)

КИТАЙ TOP Electronic Industry Co., Ltd. Сертификаты

Превосходный продукт, хорошее качество, конкурентоспособная цена, профессиональная услуга, с 10 летами сотрудничества, теперь мы будем хорошим одином другого друзей.

—— Рональд-от Boilvia

Оно очень радостный найти ВЕРХНЯЯ ЧАСТЬ как наш соучастник в Китае, здесь мы можем получить самый лучший продукт и serice, они всегда кладут клиента на первое место.

—— Карлос-от Аргентины

Я очень удовлетворен с полностью вашим обслуживанием. Это действительно хорошая команда! с вашим универсальный предложением разрешения, помогите нам сохранить много время и денег

—— Giancarlo-от Италии

Оставьте нам сообщение

SI2333DDS-T1-GE3 20 В P-канальный MOSFET 4,1 А непрерывный ток 0,045 Ом Rds(on) 1,8 В логический уровень управления TO-236-3 SC-59 SOT-23-3 -55°C до +150°C AEC-Q101 квалифицирован

Большие изображения : SI2333DDS-T1-GE3 20 В P-канальный MOSFET 4,1 А непрерывный ток 0,045 Ом Rds(on) 1,8 В логический уровень управления TO-236-3 SC-59 SOT-23-3 -55°C до +150°C AEC-Q101 квалифицирован

Подробная информация о продукте:

Место происхождения:	Китай
Фирменное наименование:	Vishay
Сертификация:	CE, GCF, ROHS
Номер модели:	SI2333DDS-T1-GE3

Оплата и доставка Условия:

Количество мин заказа:	1
Цена:	negotiable
Упаковывая детали:	Сначала упаковано в оригинальную пачку, потом в картон, наконец, в пузырьковый пакет для внешней упа
Время доставки:	3-5 рабочих дней после получения платежа
Условия оплаты:	T/T, Western Union,
Поставка способности:	1000 штук в месяц

контакт

Подробное описание продукта

Тип упаковки:	Запчасть с рельсовой лентой	Рабочая температура:	-40 ° C ~ 125 ° C.
Пакет / корпус:	WSON-8	Тип монтажа:	SMD/SMT
Код даты производства:	2024+	Функция:	Спускающийся
Выделить:	P-канальный MOSFET с логическим уровнем , AEC-Q101 P-канальный MOSFET , SI2333DDS-T1-GE3 20V P-канальный MOSFET

SI2333DDS-T1-GE3

ОСОБЕННОСТИ

• TrenchFETandreg; Power MOSFET

• 100 % Rg Tested

• Категоризация материалов: определения соответствия см.

ПРИМЕНЕНИЯ

• Смартфоны и планшетные ПК

- Переключатель нагрузки

- Переключатель батареи

Обзор
Sl2333DDS-T1-GE3 - это усовершенствованный 20-вольтовый P-канальный MOSFET в ультракомпактном корпусе sC-70-3, оптимизированный для применений управления питанием в ограниченном пространстве с высокой эффективностью. Благодаря логическому уровню управления 1,8 В и сверхнизкому Rds(on) 0,0459, он обеспечивает превосходную производительность в портативной электронике, автомобильных системах и устройствах loT.

Информация

Категория	Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET
Производитель	Vishay Siliconix
Серия	TrenchFETandreg;
Упаковка	Лента и катушка (TR) Отрезанная лента (CT) Digi-Reelandreg;
Статус детали	Активный
Тип FET	P-канал
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (Vdss)	12 В
Ток - непрерывный сток (Id) при 25anddeg;C	6A (Tc)
Напряжение управления (Max Rds On, Min Rds On)	1,5 В, 4,5 В
Rds On (Max) при Id, Vgs	28mОм при 5A, 4,5 В
Vgs(th) (Max) при Id	1 В при 250andmicro;A
Заряд затвора (Qg) (Max) при Vgs	35 нКл при 8 В
Vgs (Max)	±8 В
Входная емкость (Ciss) (Max) при Vds	1275 пФ при 6 В
Особенность FET	-
Рассеиваемая мощность (Max)	1,2 Вт (Ta), 1,7 Вт (Tc)
Рабочая температура	-55anddeg;C ~ 150anddeg;C (TJ)
Класс	-
Квалификация	-
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Корпус устройства поставщика	SOT-23-3 (TO-236)
Корпус / Корпус	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Базовый номер продукта	SI2333

Чертеж

Наше преимущество:

Высококачественная продукция --- наши предложения на 100% новые и оригинальные, ROHS
Конкурентоспособная цена --- хорошие каналы закупок с хорошей ценой.
Профессиональное обслуживание --- строгий контроль качества перед отправкой и безупречное послепродажное обслуживание после покупки.
Адекватный инвентарь --- При поддержке нашей сильной команды закупок,
Быстрая доставка --- мы отправим товар в течение 1-3 рабочих дней после подтверждения оплаты.

обязательно удовлетворит ваши потребности во всех видах компонентов.^_^

Список продуктов
Поставка серии электронных компонентов, полный спектр полупроводников, активных и пассивных компонентов. Мы можем помочь вам получить все для спецификации печатной платы, одним словом, вы можете получить здесь комплексное решение,

Предложения включают:
Интегральные схемы, микросхемы памяти, диоды, транзисторы, конденсаторы, резисторы, варисторы, предохранители, триммеры и потенциометры, трансформаторы, батареи, кабели, реле, переключатели, разъемы, клеммные колодки, кварцы и генераторы, индукторы, датчики, трансформаторы, драйверы IGBT, светодиоды, ЖК-дисплеи, преобразователи, печатные платы (PCB), PCBA (сборка печатных плат)

Сильные бренды:
Microchip, MAX, AD, TI, ATMEL, ST, ON, NS, Intersil, Winbond, Vishay, ISSI, Infineon, NEC, FAIRCHILD, OMRON, YAGEO, TDK и т. д.

тег:

Контактное лицо: Mrs. Natasha

Телефон: 86-13723770752

Факс: 86-755-82815220

Другие продукты

TLV6001IDBVR Операционный усилитель Rail-to-Rail от 1,8 В до 5,5 В, низкое энергопотребление 10 мкА, GBW 1 кГц, микро-корпус SOT-23 для датчиков с батарейным питанием и портативных устройств

Функция: Впред, вниз